型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IPD50N04S4-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V24535+￥2.862025+￥2.650050+￥2.5016100+￥2.4380500+￥2.39562500+￥2.34265000+￥2.321410000+￥2.2896 -
![]()
品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81145+￥3.469525+￥3.212550+￥3.0326100+￥2.9555500+￥2.90412500+￥2.83995000+￥2.814210000+￥2.7756 -
![]()
品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD14NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V94735+￥13.934750+￥13.3392200+￥13.0057500+￥12.92241000+￥12.83902500+￥12.74375000+￥12.68427500+￥12.6246 -
![]()
品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V734520+￥0.526550+￥0.4875100+￥0.4680300+￥0.4524500+￥0.44071000+￥0.43295000+￥0.425110000+￥0.4173 -
![]()
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics54145+￥3.955525+￥3.662550+￥3.4574100+￥3.3695500+￥3.31092500+￥3.23775000+￥3.208410000+￥3.1644 -
![]()
品类: MOS管描述: STD25N10F7 编带75545+￥3.145525+￥2.912550+￥2.7494100+￥2.6795500+￥2.63292500+￥2.57475000+￥2.551410000+￥2.5164 -
![]()
品类: MOS管描述: N沟道30V - 0.038Ω - 17A - DPAK封装的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET78505+￥4.455025+￥4.125050+￥3.8940100+￥3.7950500+￥3.72902500+￥3.64655000+￥3.613510000+￥3.5640 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V943610+￥6.8760100+￥6.5322500+￥6.30301000+￥6.29152000+￥6.24575000+￥6.18847500+￥6.142610000+￥6.1196 -
![]()
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics227010+￥7.9800100+￥7.5810500+￥7.31501000+￥7.30172000+￥7.24855000+￥7.18207500+￥7.128810000+￥7.1022 -
![]()
品类: MOS管描述: N-CH 800V 4A219210+￥8.0280100+￥7.6266500+￥7.35901000+￥7.34562000+￥7.29215000+￥7.22527500+￥7.171710000+￥7.1449 -
![]()
品类: MOS管描述: N沟道 30V 140A462710+￥6.2160100+￥5.9052500+￥5.69801000+￥5.68762000+￥5.64625000+￥5.59447500+￥5.553010000+￥5.5322 -
![]()
品类: MOS管描述: DPAK P-CH 55V 18A507710+￥1.282550+￥1.2160100+￥1.1685300+￥1.1400500+￥1.11151000+￥1.08302500+￥1.04035000+￥1.0308 -
![]()
品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L, 57 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装18565+￥4.347025+￥4.025050+￥3.7996100+￥3.7030500+￥3.63862500+￥3.55815000+￥3.525910000+￥3.4776 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V86615+￥3.091525+￥2.862550+￥2.7022100+￥2.6335500+￥2.58772500+￥2.53055000+￥2.507610000+￥2.4732 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V68155+￥2.875525+￥2.662550+￥2.5134100+￥2.4495500+￥2.40692500+￥2.35375000+￥2.332410000+￥2.3004 -
![]()
品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 250 V, 0.318 ohm, 10 V, 4 V100110+￥8.0640100+￥7.6608500+￥7.39201000+￥7.37862000+￥7.32485000+￥7.25767500+￥7.203810000+￥7.1770 -
![]()
品类: MOS管描述: FDD6612A 系列 30 V 20 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-25219105+￥2.943025+￥2.725050+￥2.5724100+￥2.5070500+￥2.46342500+￥2.40895000+￥2.387110000+￥2.3544 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V62155+￥2.430025+￥2.250050+￥2.1240100+￥2.0700500+￥2.03402500+￥1.98905000+￥1.971010000+￥1.9440 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IPD90P03P4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V809810+￥8.1720100+￥7.7634500+￥7.49101000+￥7.47742000+￥7.42295000+￥7.35487500+￥7.300310000+￥7.2731 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IPD50N10S3L16ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V615510+￥7.3920100+￥7.0224500+￥6.77601000+￥6.76372000+￥6.71445000+￥6.65287500+￥6.603510000+￥6.5789 -
![]()
品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。45175+￥3.105025+￥2.875050+￥2.7140100+￥2.6450500+￥2.59902500+￥2.54155000+￥2.518510000+￥2.4840 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IPD35N10S3L26ATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 V26995+￥4.995025+￥4.625050+￥4.3660100+￥4.2550500+￥4.18102500+￥4.08855000+￥4.051510000+￥3.9960 -
![]()
品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V22245+￥6.345025+￥5.875050+￥5.5460100+￥5.4050500+￥5.31102500+￥5.19355000+￥5.146510000+￥5.0760 -
![]()
品类: MOS管描述: MOSFET 100V 50A 45W AEC-Q101 Qualified371510+￥8.1720100+￥7.7634500+￥7.49101000+￥7.47742000+￥7.42295000+￥7.35487500+￥7.300310000+￥7.2731 -
![]()
品类: MOS管描述: N沟道 100V 41A812010+￥6.6480100+￥6.3156500+￥6.09401000+￥6.08292000+￥6.03865000+￥5.98327500+￥5.938910000+￥5.9167 -
![]()
品类: MOS管描述: IPD320N20N3 系列 200 V 32 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率-晶体管 -PG-TO-252-392225+￥11.910650+￥11.4016200+￥11.1166500+￥11.04531000+￥10.97402500+￥10.89265000+￥10.84177500+￥10.7908 -
![]()
品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V80745+￥2.889025+￥2.675050+￥2.5252100+￥2.4610500+￥2.41822500+￥2.36475000+￥2.343310000+￥2.3112 -
![]()
品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R254010+￥6.4920100+￥6.1674500+￥5.95101000+￥5.94022000+￥5.89695000+￥5.84287500+￥5.799510000+￥5.7779 -
![]()
品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 60V 50A TO25215865+￥13.583750+￥13.0032200+￥12.6781500+￥12.59691000+￥12.51562500+￥12.42275000+￥12.36477500+￥12.3066 -
![]()
品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 60V 20A TO25288365+￥6.345025+￥5.875050+￥5.5460100+￥5.4050500+￥5.31102500+￥5.19355000+￥5.146510000+￥5.0760
